半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
工程项目游戏背景
本项目投资项目座落在长三边形沿海地区某发达市级半导体技术服务业本园,机构基本产生85寸大和125寸大晶圆,日产尼桑量到达2万片。随着时间的推移扩产增加,同一的焦化废水治理 整体已始终无法 能够满足绿色环保需要,现需自动升级工程建筑。项目投资项目总项目投资约1300万元,方案治理 效率为300吨/日,于202一年完工投用。
污废水 物质及源
该企业主晶圆小学划片生产工艺制造的焦化废水主要的包涵下组成成分:
锯开方式中运用的研磨机液使用量物,主要因素为二钝化硅颗粒状、界面渗透性剂和有机肥料修改剂
晶圆外表清洁造成的含氟焦化废水,氟阴阳离子质量浓度在80-120mg/L
多量高价属阳离子如铜、镍等,来原于分割工貝磨损情况
有机物萃取剂残存,属于异丙醇、异丙醇等
pH值冲击大,平常在4-10相互之间
清理工艺设计程序
争对废液特征,制定采取"化学预治理 +生物化治理 +深度1治理 "的组合构成生产技术:
调结池
:均匀土质容量,快速设置pH再线监测器和智能加量系統
水泥混凝土沉淀物
:加药系统PAC和PAM,快速清理自动隐藏物和橡胶胶体部分的物质
气浮模快
:利用溶气气浮艺进一歩除掉细微颗粒剂和一部分可挥发物
生化模式补救
:通过MBR膜生物体反馈器,厌氧颗粒污泥密度确保在8000-10000mg/L
深入治理
:灵活性炭纤维吸附性+反渗透装置性和加工,加强组织领导出水量考核标准
淤泥除理
:板框厢式压滤机甩干,飞灰含水分率降落到60%以上
外理功效
体系不稳开机运行后,出液水硬度根本符合《手机工业生产水破坏物进行排出规格》(GB39731-2020)尤其进行排出卫生防护距离规定要求:
COD<30mg/L
氟正离子<5mg/L
飘浮物<10mg/L
巨资属贴心的售后服务质量指标均高于卫生防护距离
该项目年均可削减危害物的排股票放量约COD 32吨、氟化物8.5吨,工业废水处理水率提升75%上面的,为中小企业控制成本煤气费拨出约140万元/年。