该晶圆加工我们最靠近西北中北部，主耍产生84英寸半导体芯片晶圆，单日焦化废水排污量约800吨。致使产生工作中采用大量盐酸实施晶圆蚀刻，造成焦化废泥中氟化物氨水浓度万代高达200-300mg/L，远超地方排污标准单位（10mg/L一下）。 废渣营养成分及特征 废水处理方法主要是产自三种原则： 晶圆蚀刻道工序 ：含高氧化还原电位氟化物（HF）、氯化铵及极富巨资属 耐腐蚀机抛光剂（CMP）废液 ：含nm级硅颗料、可挥发络合剂 主设备除垢电镀废水 ：含异丙醇、氯离子等设计物 除理加工流程图 采取"药剂学积淀+水泥混凝土积淀+角度过滤器"3级治理 体统： 五级处理 ：加药氯化钙和氢阳极氧化钙，进行氟化钙结晶，氟化物避开率达85% 二次元加工处理 ：含有PAC（聚合物氯化铝）和PAM（pe塑料酰胺），除去橡胶胶体部分态感染物 三级视频解决 ：能够多媒介进行水过滤器和催化活性碳吸咐，溢水氟化物密度增强在8mg/L这 关键性装置也包括：pH主动调结系统性、斜管沉淀自己池、板框带式压滤机（污泥处理脱水等）。 最终能够效果好 业务程序运行六年数据表格统计数据表格界面显示： 氟化物大概渗透压：7.2mg/L（最低发达国家原则） COD出掉率：92% 活性污泥水分含量率：≤65% 年收购 氟化钙副产物设备约150吨，保证产品化使用